FDI025N06中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 395 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 265A
上升时间 324 ns
输入电容Ciss 14885pF @25VVds
额定功率Max 395 W
下降时间 250 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 395W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDI025N06
型号： FDI025N06
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 60V ， 265A ， 2.5米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.5mヘ