N沟道 900V 1.7A
N-Channel 900V 1.7A Tc 2.5W Ta, 50W Tc Surface Mount TO-252AA
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N沟道 900V 1.7A
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MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
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Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin 2+Tab DPAK T/R
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MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
额定电压DC 900 V
额定电流 1.70 A
漏源极电阻 7.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
输入电容 500 pF
栅电荷 15.0 nC
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD2N90TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD3NK90ZT4 意法半导体 | 功能相似 | FQD2N90TF和STD3NK90ZT4的区别 |
STD2NK90ZT4 意法半导体 | 功能相似 | FQD2N90TF和STD2NK90ZT4的区别 |
FQD2N90 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQD2N90TF和FQD2N90的区别 |