FQP9N15

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FQP9N15概述

150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET

N-Channel 150 V 9A Tc 75W Tc Through Hole TO-220-3


立创商城:
N沟道 150V 9A


得捷:
MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


FQP9N15中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 75W Tc

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

输入电容Ciss 410pF @25VVds

额定功率Max 75 W

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP9N15
型号: FQP9N15
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET

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