N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel 30 V 80A Ta 68W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
立创商城:
N沟道 30V 80A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
贸泽:
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 2440pF @15VVds
额定功率Max 68 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB7030L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB7030L_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDB7030L和FDB7030L_NL的区别 |