FDD3580

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FDD3580中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 7.70 A

漏源极电阻 29.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.8W Ta, 42W Tc

输入电容 1.76 nF

栅电荷 35.0 nC

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.70 A

上升时间 8.00 ns

输入电容Ciss 1760pF @40VVds

额定功率Max 1.6 W

耗散功率Max 3.8W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FDD3580
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:80V N沟道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

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