FQP22P10

FQP22P10图片1
FQP22P10图片2
FQP22P10图片3
FQP22P10图片4
FQP22P10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -22.0 A

通道数 1

漏源极电阻 125 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

上升时间 170 ns

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP22P10
型号: FQP22P10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
替代型号FQP22P10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP22P10

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQPF12P10

飞兆/仙童

类似代替

FQP22P10和FQPF12P10的区别

FQPF27P06

飞兆/仙童

功能相似

FQP22P10和FQPF27P06的区别

FQA47P06

飞兆/仙童

功能相似

FQP22P10和FQA47P06的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台