FDP5645参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDP5645概述

60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel 60 V 80A Ta 125W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

立创商城:
N沟道 60V 80A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

FDP5645中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 80.0 A

漏源极电阻 9.50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 4468pF @30VVds

额定功率Max 125 W

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDP5645

型号： FDP5645

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

替代型号FDP5645