N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 100V 7.2A Ta, 44A Tc 120W Tc Surface Mount TO-263AB
得捷:
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
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N沟道 100V 7.2A 44A
贸泽:
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A Automotive 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R
通道数 1
漏源极电阻 24 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 44.0 A
上升时间 59 ns
输入电容Ciss 1710pF @25VVds
额定功率Max 120 W
下降时间 44 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB3672 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB3652 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB3672和FDB3652的区别 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FDB3672和STP55NF06的区别 |
STW20NK50Z 意法半导体 | 功能相似 | FDB3672和STW20NK50Z的区别 |