N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench ？ MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench? MOSFET
N-Channel 30 V 12A Ta, 46A Tc 3.3W Ta, 56W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
立创商城:
N沟道 30V 46A 12A
贸泽:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
通道数 1
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1230pF @15VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 56W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD6680 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD8880 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD6680和FDD8880的区别 |
FDD6680_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDD6680和FDD6680_NL的区别 |