FDU6512A

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FDU6512A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 36.0 A

通道数 1

漏源极电阻 16 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

输入电容 1.08 nF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1082pF @10VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 43W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDU6512A
型号: FDU6512A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

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