N沟道 300V 4.4A
N-Channel 300 V 4.4A Tc 2.5W Ta, 45W Tc Surface Mount TO-252AA
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MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
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Trans MOSFET N-CH 300V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
额定电压DC 300 V
额定电流 4.30 A
通道数 1
漏源极电阻 900 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.40 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 430pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD5N30TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD7N30TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD5N30TM和FQD7N30TM的区别 |
FQD5N30TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD5N30TM和FQD5N30TF的区别 |
FQD7N30TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD5N30TM和FQD7N30TF的区别 |