30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 30V 21A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
立创商城:
N沟道 30V 21A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
漏源极电阻 3.30 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
输入电容Ciss 4040pF @15VVds
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS8670 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS7672AS 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS8670和FDMS7672AS的区别 |
BSO033N03MS G 英飞凌 | 功能相似 | FDS8670和BSO033N03MS G的区别 |