FDFS6N303参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDFS6N303概述

N沟道MOSFET和肖特基二极管 N-Channel MOSFET with Schottky Diode

N-Channel 30 V 6A Ta 900mW Ta Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

立创商城:
N沟道 30V 6A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

FDFS6N303中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 6.00 A

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 900mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 12.0 ns

输入电容Ciss 350pF @15VVds

额定功率Max 900 mW

耗散功率Max 900mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDFS6N303

型号： FDFS6N303

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道MOSFET和肖特基二极管 N-Channel MOSFET with Schottky Diode

替代型号FDFS6N303