FQB6N40CFTM

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FQB6N40CFTM中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 900 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 113 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

封装参数

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQB6N40CFTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

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