FQPF18N20V2YDTU参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF18N20V2YDTU概述

N沟道 200V 18A

N-Channel 200 V 18A Tc 40W Tc Through Hole TO-220F-3 Y-Forming

得捷:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3

立创商城:
N沟道 200V 18A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220F T/R

FQPF18N20V2YDTU中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 18A

输入电容Ciss 1080pF @25VVds

额定功率Max 40 W

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQPF18N20V2YDTU

型号： FQPF18N20V2YDTU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道 200V 18A