900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
N-Channel 900V 8A Tc 240W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
立创商城:
N沟道 900V 8A
贸泽:
MOSFET 900V N-Channel Q-FET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-3P
额定电压DC 900 V
额定电流 8.00 A
漏源极电阻 1.90 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 240 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 2080pF @25VVds
额定功率Max 240 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 240W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQA8N90C Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQA8N90C_F109 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQA8N90C和FQA8N90C_F109的区别 |
FQA6N90 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQA8N90C和FQA6N90的区别 |
FQA8N90C-F109 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQA8N90C和FQA8N90C-F109的区别 |