600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
N-Channel 600V 2.6A Tc 36W Tc Through Hole TO-220F-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F
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N沟道 600V 2.6A
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MOSFET 600V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
Win Source:
600V N-Channel MOSFET
额定电压DC 600 V
额定电流 2.60 A
通道数 1
漏源极电阻 2.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 36 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.60 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
额定功率Max 36 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 36W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF4N60 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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