FQB30N06TM

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FQB30N06TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 30.0 A

通道数 1

漏源极电阻 40 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 945pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 79W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB30N06TM
型号: FQB30N06TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB30N06TM
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