FDS6685参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS6685概述

P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

P-Channel 30V 8.8A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

立创商城:
P沟道 30V 8.8A

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6685 MOSFET Transistor, P Channel, 8.8 A, -30 V, 20 mohm, -10 V, -1.7 V

Win Source:
P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FDS6685中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -8.80 A

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 1.60 nF

栅电荷 17.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 8.80 A

上升时间 13.5 ns

输入电容Ciss 1604pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDS6685

型号： FDS6685

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

立即咨询

替代型号FDS6685

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDS6685 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
TPS1100D 德州仪器	功能相似	FDS6685和TPS1100D的区别
TPS1100DR 德州仪器	功能相似	FDS6685和TPS1100DR的区别
FDS4435BZ 安森美	功能相似	FDS6685和FDS4435BZ的区别