30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 30 V 14A Ta, 56A Tc 2.8W Ta, 60W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak
得捷:
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
立创商城:
N沟道 30V 56A 14A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
Win Source:
30V N-Channel PowerTrench MOSFET
漏源极电阻 9.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8W Ta, 60W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
输入电容Ciss 1425pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
耗散功率Max 2.8W Ta, 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD7030BL Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD8880 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD7030BL和FDD8880的区别 |