FDB12N50UTM_WS

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FDB12N50UTM_WS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 165 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1395pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB12N50UTM_WS
型号: FDB12N50UTM_WS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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