900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
N-Channel 900V 7.4A Tc 198W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
立创商城:
N沟道 900V 7.4A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 7.4A 3-Pin3+Tab TO-3P
额定电压DC 900 V
额定电流 7.40 A
漏源极电阻 1.55 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 198W Tc
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.40 A
输入电容Ciss 2280pF @25VVds
额定功率Max 220 W
耗散功率Max 198W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQA7N90 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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