FDS8934A参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS8934A概述

双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 4A 900mW Surface Mount 8-SOIC

得捷:
P-CHANNEL POWER MOSFET

立创商城:
2个P沟道 20V 4A

贸泽:
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

FDS8934A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -4.00 A

漏源极电阻 55.0 mΩ

极性 Dual P-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

输入电容 1.13 nF

栅电荷 20.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V

连续漏极电流Ids -4.00 A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 1130pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS8934A

型号： FDS8934A

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

立即咨询

替代型号FDS8934A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDS8934A Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDS4953 飞兆/仙童	类似代替	FDS8934A和FDS4953的区别
NTMD4N03R2G 安森美	功能相似	FDS8934A和NTMD4N03R2G的区别
NTMD6N02R2G 安森美	功能相似	FDS8934A和NTMD6N02R2G的区别