FQPF2NA90

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FQPF2NA90中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 1.70 A

漏源极电阻 5.80 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 39 W

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 680pF @25VVds

额定功率Max 39 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 39W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF2NA90
型号: FQPF2NA90
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

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