FQB55N06TM概述
N沟道 60V 55A
N-Channel 60V 55A Tc 3.75W Ta, 133W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB
得捷:
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
立创商城:
N沟道 60V 55A
贸泽:
MOSFET 60V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
FQB55N06TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 55.0 A
通道数 1
漏源极电阻 20 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 1690pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 75 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 133W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQB55N06TM