FQP19N10L参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQP19N10L概述

LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET

N-Channel 100 V 19A Tc 75W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3

立创商城:
N沟道 100V 19A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 19A TO-220

FQP19N10L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 19.0 A

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 75W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 19.0 A

输入电容Ciss 870pF @25VVds

额定功率Max 75 W

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP19N10L

型号： FQP19N10L

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET

替代型号FQP19N10L