额定电压DC 60.0 V
额定电流 32.0 A
通道数 1
漏源极电阻 27 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 58 W
输入电容 1.12 nF
栅电荷 23.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1120pF @25VVds
额定功率Max 58 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 58W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB5690 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FDB5690和STP55NF06的区别 |
STP60NF06 意法半导体 | 功能相似 | FDB5690和STP60NF06的区别 |
STB55NF06T4 意法半导体 | 功能相似 | FDB5690和STB55NF06T4的区别 |