N沟道PowerTrench MOSFET的20V , 35A , 5.5mOHM N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM
N-Channel 20 V 35A Tc 77W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
立创商城:
N沟道 20V 35A
贸泽:
MOSFET 20V 35A 5.5 OHM NCH IPAK PO
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 35A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
额定电压DC 20.0 V
额定电流 35.0 A
通道数 1
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 77 W
输入电容 2.48 nF
栅电荷 48.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2480pF @10VVds
额定功率Max 77 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 77W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDU8586 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD8586 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDU8586和FDD8586的区别 |