FQI6N40CTU

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FQI6N40CTU概述

N沟道 400V 6A

N-Channel 400 V 6A Tc 73W Tc Through Hole I2PAK TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK


立创商城:
N沟道 400V 6A


贸泽:
MOSFET N-CH/400 /6A/CFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail


FQI6N40CTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 6.00 A

漏源极电阻 830 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 73 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 625pF @25VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 73W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQI6N40CTU
型号: FQI6N40CTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 400V 6A
替代型号FQI6N40CTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQI6N40CTU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQA70N15

飞兆/仙童

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FQI6N40CTU和FQA70N15的区别

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