N沟道 400V 6A
N-Channel 400 V 6A Tc 73W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK
立创商城:
N沟道 400V 6A
贸泽:
MOSFET N-CH/400 /6A/CFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
额定电压DC 400 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 830 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 73 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 625pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 73W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FQI6N40CTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQA70N15 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQI6N40CTU和FQA70N15的区别 |