FQD20N06LETM概述
N沟道 60V 17.2A
N-Channel 60 V 17.2A Tc 2.5W Ta, 38W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak
得捷:
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
立创商城:
N沟道 60V 17.2A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
FQD20N06LETM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 17.2 A
漏源极电阻 60.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 38W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 17.2 A
输入电容Ciss 665pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 38W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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