FCB11N60FTM

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FCB11N60FTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 11.0 A

极性 N-CH

耗散功率 125 W

输入电容 1.49 nF

栅电荷 52.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 98 ns

输入电容Ciss 1490pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 56 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCB11N60FTM
型号: FCB11N60FTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
替代型号FCB11N60FTM
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