FQPF13N50T

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FQPF13N50T概述

N沟道MOSFET QFET N-Channel QFET MOSFET

N-Channel 500V 12.5A Tc 56W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F


立创商城:
N沟道 500V 12.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


FQPF13N50T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 12.5 A

漏源极电阻 430 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 56 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 12.5 A

输入电容Ciss 2300pF @25VVds

额定功率Max 56 W

耗散功率Max 56W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF13N50T
型号: FQPF13N50T
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET QFET N-Channel QFET MOSFET
替代型号FQPF13N50T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQPF13N50T

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STP11NK50ZFP

意法半导体

功能相似

FQPF13N50T和STP11NK50ZFP的区别

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