FQPF19N20CYDTU

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FQPF19N20CYDTU中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 43W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 19A

输入电容Ciss 1080pF @25VVds

耗散功率Max 43W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQPF19N20CYDTU
型号: FQPF19N20CYDTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin3+Tab TO-220F Rail

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