FDM606P概述
P沟道1.8V逻辑电平功率MOSFET的沟道 P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET
P-Channel 20 V 6.8A Tc 1.92W Ta Surface Mount 8-MLP, MicroFET 3x2
立创商城:
P沟道 20V 6.8A
得捷:
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-Pin MicroFET T/R
Win Source:
P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET
FDM606P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -6.80 A
漏源极电阻 26.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.92W Ta
输入电容 2.20 nF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 6.80 A
上升时间 46.0 ns
输入电容Ciss 2200pF @10VVds
额定功率Max 1.92 W
耗散功率Max 1.92W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MLP-8
外形尺寸
封装 MLP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDM606P
型号： FDM606P
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：P沟道1.8V逻辑电平功率MOSFET的沟道 P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET