100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 100 V 6.3A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC
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N沟道 100V 6.3A
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MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC
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MOSFET SO-8 N-CH 100V
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Trans MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
100V N-Channel PowerTrench MOSFET
通道数 1
漏源极电阻 22 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.30 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2490pF @50VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS3670 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS3680 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS3670和FDS3680的区别 |
PSMN038-100K,518 恩智浦 | 功能相似 | FDS3670和PSMN038-100K,518的区别 |
FDS3690 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS3670和FDS3690的区别 |