N沟道 500V 9A
N-Channel 500 V 9A Tc 3.13W Ta, 147W Tc Surface Mount D2PAK TO-263
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N沟道 500V 9A
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MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
500V N-Channel MOSFET
额定电压DC 500 V
额定电流 9.00 A
漏源极电阻 730 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.13W Ta, 147W Tc
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
输入电容Ciss 1450pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
耗散功率Max 3.13W Ta, 147W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQB9N50TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQB9N50CTM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQB9N50TM和FQB9N50CTM的区别 |
FQB9N50CFTM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQB9N50TM和FQB9N50CFTM的区别 |
FQB9N50CFTM_WS 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQB9N50TM和FQB9N50CFTM_WS的区别 |