FQPF3N80CYDTU概述
N沟道 800V 3A
N-Channel 800V 3A Tc 39W Tc Through Hole TO-220F-3 Y-Forming
得捷:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
立创商城:
N沟道 800V 3A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
FQPF3N80CYDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 4.80 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 39W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 705pF @25VVds
额定功率Max 39 W
耗散功率Max 39W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQPF3N80CYDTU
替代型号FQPF3N80CYDTU
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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