FDB6670AS概述
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
N-Channel 30V 62A Ta 62.5W Tc Surface Mount TO-263AB
立创商城:
N沟道 30V 62A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
贸泽:
MOSFET 30V N-Channel PT SyncFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
FDB6670AS中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 31.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
输入电容 1.57 nF
栅电荷 28.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 62.0 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 1570pF @15VVds
额定功率Max 62.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDB6670AS
型号： FDB6670AS
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET