FQPF1N60T

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FQPF1N60T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 1.20 A

漏源极电阻 11.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 21 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.20 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 150pF @25VVds

下降时间 25 ns

耗散功率Max 21W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF1N60T
型号: FQPF1N60T
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.9A 3Pin3+Tab TO-220F T/R

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