FQAF19N20

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FQAF19N20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 15.0 A

漏源极电阻 150 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 85W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

额定功率Max 85 W

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-94

外形尺寸

封装 SC-94

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQAF19N20
型号: FQAF19N20
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

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