集成的P沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管-30V ， -3A ，115Mヘ Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mヘ
P-Channel 30V 3A Ta 3.1W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
立创商城:
P沟道 30V 3A
贸泽:
MOSFET -30V Int P-Channel PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SOIC N T/R
通道数 1
漏源极电阻 115 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 455pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDFS2P753AZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDFS2P753Z 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDFS2P753AZ和FDFS2P753Z的区别 |