FDS5170N7

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FDS5170N7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.6 A

漏源极电阻 12.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.6 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2889pF @30VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS5170N7
型号: FDS5170N7
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号FDS5170N7
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