N沟道 200V 7A
N-Channel 200V 7A Tc 2.5W Ta, 46W Tc Surface Mount D-Pak
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N沟道 200V 7A
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MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
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Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定电压DC 200 V
额定电流 7.00 A
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 46W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
输入电容Ciss 550pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 46W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD630TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP297 英飞凌 | 功能相似 | FQD630TF和BSP297的区别 |
FDD7N20TM 安森美 | 功能相似 | FQD630TF和FDD7N20TM的区别 |
BSP297L6327 英飞凌 | 功能相似 | FQD630TF和BSP297L6327的区别 |