FDS6688参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS6688概述

30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel 30V 16A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

立创商城:
N沟道 30V 16A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

FDS6688中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 16.0 A

漏源极电阻 4.50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta

输入电容 3.89 nF

栅电荷 40.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 11.0 ns

输入电容Ciss 3888pF @15VVds

额定功率Max 1.2 W

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6688

型号： FDS6688

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

替代型号FDS6688