FQPF28N15

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FQPF28N15概述

150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET

N-Channel 150 V 16.7A Tc 60W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F


立创商城:
N沟道 150V 16.7A


贸泽:
MOSFET 150V N-Channel QFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 16.7A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F


FQPF28N15中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 16.7 A

通道数 1

漏源极电阻 90 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 16.7 A

上升时间 180 ns

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 115 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF28N15
型号: FQPF28N15
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET
替代型号FQPF28N15
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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