100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
P-Channel 100 V 8.2A Tc 38W Tc Through Hole TO-220F-3
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MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
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P沟道 100V 8.2A
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MOSFET 100V P-Channel QFET
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Trans MOSFET P-CH 100V 8.2A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
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MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F
额定电压DC -100 V
额定电流 -11.5 A
通道数 1
漏源极电阻 290 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 38 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.20 A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 800pF @25VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF12P10 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQP22P10 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQPF12P10和FQP22P10的区别 |
FQPF27P06 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQPF12P10和FQPF27P06的区别 |
FQA47P06 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQPF12P10和FQA47P06的区别 |