FDD044AN03L参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDD044AN03L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 35.0 A

通道数 1

漏源极电阻 3.9 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

输入电容 5.16 nF

栅电荷 91.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 154 ns

输入电容Ciss 5160pF @15VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 63 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD044AN03L

型号： FDD044AN03L

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

替代型号FDD044AN03L