FQA35N40

FQA35N40图片1
FQA35N40图片2
FQA35N40图片3
FQA35N40图片4
FQA35N40概述

400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

N-Channel 400 V 35A Tc 310W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 400V 35A TO3P


立创商城:
N沟道 400V 35A


贸泽:
MOSFET 400V N-Channel QFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 35A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P


FQA35N40中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 35.0 A

通道数 1

漏源极电阻 105 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 310 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 360 ns

输入电容Ciss 5600pF @25VVds

额定功率Max 310 W

下降时间 190 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA35N40
型号: FQA35N40
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台