FQA35N40概述
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
N-Channel 400 V 35A Tc 310W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 400V 35A TO3P
立创商城:
N沟道 400V 35A
贸泽:
MOSFET 400V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 35A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
FQA35N40中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 35.0 A
通道数 1
漏源极电阻 105 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 360 ns
输入电容Ciss 5600pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 190 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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