FDS7066N7参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS7066N7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 23.0 A

漏源极电阻 3.50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 23.0 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 4973pF @15VVds

额定功率Max 1.7 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS7066N7

型号： FDS7066N7

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

替代型号FDS7066N7