200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
P-Channel 200 V 7.3A Tc 90W Tc Through Hole TO-220-3
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MOSFET 200V P-Channel QFET
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Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
额定电压DC -200 V
额定电流 -7.30 A
漏源极电阻 690 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 90 W
漏源极电压Vds 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 770pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP7P20 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
RFP10P12 Harris | 功能相似 | FQP7P20和RFP10P12的区别 |